RFK25N20

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ELECTRO WALID
18 KISSARIAT EL ATLASSI RMILA MARRAKECH
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RFK25N20 est un transistor MOSFET N-Channel conçu pour des applications de commutation et amplification de puissance. Il est adapté aux circuits nécessitant une tension élevée et un courant important, comme :



  • Alimentations à découpage (SMPS)

  • Contrôle de moteurs

  • Inverseurs et convertisseurs DC-DC

  • Circuits de commande de charge

Ce MOSFET offre une faible résistance à l'état passant (Rds(on)) pour minimiser les pertes et optimiser l’efficacité.

 Caractéristiques techniques du RFK25N20

CaractéristiqueValeur typique
TypeMOSFET N-Channel
Tension drain-source (Vds) max200 V
Courant drain continu (Id) max25 A
Résistance Rds(on)Typiquement faible (quelques dizaines de mΩ)
BoîtierTO-220 ou similaire (selon fabricant)
Application principaleAlimentation, commande moteur, circuits de puissance

Avantages

  • Haute tension (200 V) et courant élevé (25 A)

  • Faible résistance Rds(on) → pertes réduites

  • Adapté aux applications industrielles et grand public

  • Facile à monter avec dissipateur

  • Compatible avec diverses topologies de conversion

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