30F131
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Description du 30F131
Le 30F131 est un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance, conçu pour les applications à haute tension et forte commutation, comme les onduleurs, variateurs de vitesse, chauffages à induction, alimentations à découpage, ou encore les commandes de moteurs.
Ce composant combine la facilité de commande d’un MOSFET (grille isolée, commande en tension) et la puissance de conduction d’un transistor bipolaire, tout en assurant une commutation rapide avec faible perte.
Caractéristiques principales du 30F131
| Caractéristique | Valeur typique |
|---|---|
| Type | IGBT (Transistor bipolaire à grille isolée) |
| Tension collecteur-émetteur (Vces) max | 600 V |
| Courant collecteur (Ic) max | 30 A |
| Tension grille-émetteur (Vge) | ±20 V |
| Vce (sat) typique | 2.0 V à 2.5 V |
| Puissance dissipable | ~160 W (avec bon refroidissement) |
| Fréquence de commutation | Jusqu’à 20 kHz à 50 kHz |
| Boîtier | TO-247 |
| Application principale | Variateur, moteur, onduleur, induction, alimentation découpage, soudure |
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