RJP63K2

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ELECTRO WALID
18 KISSARIAT EL ATLASSI RMILA MARRAKECH
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Description du RJP63K2

Le RJP63K2 est un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) haute tension conçu principalement pour les circuits d’alimentation à découpage (SMPS), notamment dans les téléviseurs LCD/LED, les moniteurs, et autres appareils électroniques grand public.

Ce composant est optimisé pour fonctionner à haute tension tout en maintenant des pertes de commutation faibles, ce qui le rend efficace et fiable.

 Caractéristiques techniques du RJP63K2

CaractéristiqueValeur typique
TypeIGBT N-Channel
Tension collecteur-émetteur (V<sub>CE</sub>) max600 V
Courant collecteur (I<sub>C</sub>) max30 A (pulsé), 10 A (continu typique)
V<sub>CE(sat)</sub> typique~2.0 V à 5 A
Fréquence de commutationMoyenne (~20–50 kHz)
Tension grille-émetteur (V<sub>GE</sub>) max±20 V
BoîtierTO-3P
Application principaleAlimentation TV, convertisseurs, SMPS, circuits de puissance

Avantages

  • Haute tension (600 V) et courant élevé

  • Faible V<sub>CE(sat)</sub> → pertes réduites

  • Intégration facile dans les circuits existants

  • Boîtier TO-3P : bonne dissipation thermique

  • Idéal pour les alims flyback ou forward dans les téléviseurs

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