Produits les plus vendus
-
3.00DH -
1.00DH
-
1.00DH
-
1.00DH
-
12.00DH
Avis et notes
0
out of 5.0
(0
Commentaires)
Il n'y a pas encore d'avis sur ce produit.
RJP30H2 est un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) conçu pour des applications de commutation haute tension, en particulier dans les alimentations à découpage (SMPS), téléviseurs LCD/LED, ballasts électroniques, et circuits d’affichage.
Il intègre à la fois les avantages du MOSFET (commande en tension, haute vitesse de commutation) et ceux du transistor bipolaire (fort courant, faible Vce(sat)).
Caractéristiques techniques du RJP30H2
| Caractéristique | Valeur typique |
|---|---|
| Type | IGBT N-Channel |
| Tension collecteur-émetteur (Vce) max | 600 V |
| Courant collecteur (Ic) max | 30 A (en impulsion) |
| Courant collecteur (Ic) continu | 10 A (typique) |
| Vce(sat) typique | ~2.0 V à 5 A |
| Tension grille-émetteur (Vge) max | ±20 V |
| Fréquence de commutation | Jusqu’à 50 kHz |
| Boîtier | TO-3P |
| Application principale | Alimentation TV, onduleur, SMPS, circuits d’affichage, ballast |
Avantages
-
Haute tension (600 V) et bon courant (30 A crête)
-
Faible Vce(sat) → meilleures performances thermiques
-
Commutation rapide → rendement élevé
-
Boîtier TO-3P robuste → bonne dissipation thermique
-
Parfait pour circuits d’alim TV et convertisseurs industriels
Produits fréquemment achetés
Produits les plus vendus
-
3.00DH
-
1.00DH
-
1.00DH
-
1.00DH
-
12.00DH
Abonnez-vous à notre newsletter pour recevoir des nouvelles régulières sur les offres, coupons et autres
Applications mobiles
