RJP30H1 – IGBT N‑Channel haute puissance (360 V, 30 A)

Le RJP30H1 est un transistor IGBT N‑Channel conçu pour des applications de commutation et de puissance rapide. Conçu par Renesas, il combine la technologie trench-gate avec un boîtier compatible haute performance pour les circuits industriels exigeants.

? Caractéristiques principales :

• Type : IGBT N‑Channel (Silicon trench-gate, série G6H‑II) 

• Tension collecteur‑émetteur max (V_CES) : 360 V 

• Courant continu maximal (I_C) : 30 A @ 25 °C 

• Courant de fuite (I_CES) : ≤ 1 µA 

• Tension de saturation (V_CE(sat)) : ≈1.5 V typ. 

• Temps de commutation rapides : tr ≈ 80 ns, tf ≈ 150 ns 

• Tension gate‑émetteur max (V_GES) : ±30 V

  
  Dissipation thermique (P_C) : jusqu’à 40 W 

• Température de jonction max (T_j) : jusqu’à 150 °C 

• Boîtier : TO‑252 (surface-mount) ou TO‑220FL/TO‑263 selon la variante 

 Avantages :

• Conception à haute performance : la technologie trench-gate assure une efficacité thermique et une faible saturation de tension.

• Commutation rapide : idéale pour les applications de hacheurs, onduleurs, variateurs.

• Faible fuite de courant : parfait pour les circuits de puissance à haute efficacité.

• Robuste et fiable : haute capacité de courant et grande tolérance thermique.

Applications typiques :

• Inverseurs et variateurs pour moteurs industriels

• Sources d'alimentation SMPS et convertisseurs DC‑DC haute puissance

• Systèmes photovoltaïques, alimentations UPS

• Contrôle de moteurs et d’électroménagers de puissance