RJP30E2
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Le RJP30E2 est un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance, optimisé pour des applications de commutation rapide à haute tension, en particulier dans les alims à découpage, les circuits d’alimentation de téléviseurs LCD/LED, les convertisseurs, ou les ballasts électroniques.
Il offre un bon compromis entre faibles pertes de conduction et rapidité de commutation, tout en supportant des tensions élevées (600V) et des courants modérés (30A crête).
Caractéristiques techniques principales du RJP30E2
| Caractéristique | Valeur typique |
|---|---|
| Type | IGBT (Transistor bipolaire à grille isolée) |
| Tension collecteur-émetteur (Vce) max | 600 V |
| Courant collecteur (Ic) max | 10 A (continu), 30 A (crête) |
| Tension grille-émetteur (Vge) max | ±20 V |
| Vce (sat) typique | Environ 2.0 V à 5 A |
| Fréquence de commutation | Élevée (jusqu’à 30–50 kHz) |
| Boîtier | TO-3P |
| Applications principales | Téléviseurs LCD, convertisseurs, alimentation SMPS, ballast électronique, circuits d'affichage |
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