Le P6N60 est un transistor MOSFET canal N conçu pour les applications de puissance nécessitant une haute tension et une commutation rapide. Ce composant est particulièrement adapté aux alimentations à découpage, aux onduleurs, et à d’autres circuits industriels haute tension.

Caractéristiques principales :

• Type : MOSFET canal N

• Tension drain-source maximale (V_DS) : 600 V

• Courant continu maximal (I_D) : typiquement 6 A (à vérifier selon datasheet)

• Résistance à l’état passant (R_DS(on)) : faible, pour une meilleure efficacité

• Boîtier : souvent TO-220 ou similaire, pour une bonne dissipation thermique

• Applications : alimentations à découpage, convertisseurs, moteurs, contrôle de puissance