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Avis et notes
G30N60
Le G30N60 est un IGBT N-Channel conçu pour des applications de puissance élevée, en particulier dans les convertisseurs, onduleurs, alimentations à découpage, variateurs de vitesse, et circuits de chauffage à induction.
Il peut commuter des tensions allant jusqu’à 600 V avec un courant élevé, tout en maintenant de faibles pertes de conduction et de commutation, grâce à sa structure optimisée.
Ce composant combine les avantages du MOSFET (commande en tension, vitesse de commutation) et du transistor bipolaire (faible perte à l'état passant).
Caractéristiques techniques du G30N60
| Caractéristique | Valeur typique |
|---|---|
| Type | IGBT N-Channel |
| Tension collecteur-émetteur (V<sub>CE</sub>) max | 600 V |
| Courant collecteur (I<sub>C</sub>) continu | 60 A |
| Courant pulsé (I<sub>CM</sub>) | Jusqu’à 120 A |
| V<sub>CE(sat)</sub> typique | ~1.8 – 2.2 V à 30–40 A |
| Fréquence de commutation | Moyenne à élevée (~20–50 kHz) |
| Tension grille-émetteur (V<sub>GE</sub>) max | ±20 V |
| Boîtier | TO-247 |
| Application principale | Variateurs moteur, SMPS, UPS, convertisseurs, chauffage à induction |
Avantages
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Haute tension (600 V) et fort courant (jusqu’à 60 A)
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Faible tension de saturation → faibles pertes
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Conception robuste pour circuits de puissance
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Fréquence de commutation modérée à élevée
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Boîtier TO-247 pour bonne dissipation thermique
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Idéal pour équipements industriels et alims puissantes
Produits fréquemment achetés
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