Le FQPF5N60C est un transistor MOSFET N-Channel de puissance, conçu pour les applications de commutation rapide et les alimentations à découpage. Grâce à sa tension de drain élevée (600 V) et à sa faible résistance à l’état passant (Rds(on)), il est idéal pour les circuits haute tension et les convertisseurs de puissance.

Caractéristiques principales :

• Type : MOSFET N-Channel

• Tension drain-source (Vds) : 600 V

• Courant drain (Id) : 4,7 A

• Rds(on) max : 1,9 Ω à Vgs = 10V

• Puissance dissipée : 125 W (avec dissipateur)

• Boîtier : TO-220F (isolé)

• Vgs max : ±30 V

• Technologie : Planar Stripe / Fast Switching

Applications typiques :

• Alimentations à découpage (SMPS)

• Inverseurs de puissance

• Ballasts électroniques

• Commande de moteurs

• Équipements industriels