FQP7N60C
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Description du transistor MOSFET FQP7N60C
Le FQP7N60C est un transistor MOSFET canal N de puissance, conçu pour des applications haute tension et haute commutation. Il est très utilisé dans les alimentations à découpage, les convertisseurs DC-DC, les onduleurs, et les circuits de gestion de puissance nécessitant un MOSFET capable de supporter des tensions élevées et des courants modérés.
Son boîtier TO-220 permet un montage facile avec dissipateur thermique pour gérer des puissances importantes.
Caractéristiques principales
| Caractéristique | Valeur typique |
|---|---|
| Type | MOSFET canal N |
| Tension drain-source (Vds) max | 600 V |
| Courant drain (Id) max | 7 A |
| Résistance à l’état passant (Rds(on)) | 1.3 Ω max à Vgs=10 V |
| Tension grille-source (Vgs) max | ±20 V |
| Puissance dissipable (Pd) max | 120 W (avec bon refroidissement) |
| Boîtier | TO-220 |
| Fréquence de commutation | Haute (adapté aux applications découpage) |
| Application principale | Alimentation à découpage, convertisseur DC-DC, onduleurs, moteurs, commande de charge |
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