FGL40N120
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Description du FGL40N120
Le FGL40N120 est un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance conçu pour les applications haute tension et haute fréquence. Il est couramment utilisé dans les onduleurs, variateurs de vitesse, alimentation à découpage, circuits de commande moteur, et applications industrielles nécessitant une commutation rapide et des pertes réduites.
Ce composant combine les avantages d’un MOSFET (commande en tension) et d’un transistor bipolaire (fort courant et faible perte en conduction).
⚙️ Caractéristiques principales du FGL40N120
| Caractéristique | Valeur typique |
|---|---|
| Type | IGBT (Transistor bipolaire à grille isolée) |
| Tension collecteur-émetteur (Vce) max | 1200 V |
| Courant collecteur (Ic) max | 40 A |
| Tension grille-émetteur (Vge) max | ±20 V |
| Vce (sat) typique | 2.0 – 2.5 V |
| Énergie de commutation | Faible (optimisé pour la commutation rapide) |
| Fréquence de commutation | Jusqu’à 20-30 kHz (selon le montage) |
| Boîtier | TO-247 |
| Application principale | Commande moteur, onduleur, alimentation SMPS, chauffage par induction |
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