FGA25N120
Produit en interne
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0.50DH -
5.00DH
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15.00DH
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11.00DH
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18.00DH
Avis et notes
Le FGA25N120 est un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance, conçu pour les applications de commutation à haute tension et haute efficacité,
Variateurs de vitesse (VFD)
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Onduleurs
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Alimentation à découpage (SMPS)
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Chauffage par induction
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Systèmes de commande moteur
Ce composant combine la commande facile d’un MOSFET avec la capacité de courant élevé d’un transistor bipolaire, tout en offrant de faibles pertes de commutation et une saturation Vce faible.
Caractéristiques techniques du FGA25N120
| Caractéristique | Valeur typique |
|---|---|
| Type | IGBT (N-Channel) |
| Tension collecteur-émetteur (Vce) max | 1200 V |
| Courant collecteur (Ic) continu | 50 A (à 25°C) |
| Courant collecteur (Ic) max | 25 A (en usage typique) |
| Vce(sat) typique | 2.5 V à 25 A |
| Tension grille-émetteur (Vge) max | ±20 V |
| Fréquence de commutation | Moyenne à élevée (~20 kHz) |
| Boîtier | TO-3P |
| Application principale | Convertisseurs, onduleurs, moteurs, SMPS, induction |
Avantages
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Haute tension de blocage : 1200 V
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Fort courant nominal : jusqu’à 50 A avec bon refroidissement
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Faible Vce(sat) : réduit les pertes en conduction
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Commutation rapide : adapté aux systèmes dynamiques
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Boîtier TO-3P : robuste et efficace pour dissipation thermique
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Très bon rapport performances/prix pour l’électronique de puissance
Produits fréquemment achetés
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