Le 4N60C est un transistor MOSFET N-Channel de puissance conçu pour les applications de commutation haute tension. Il est particulièrement utilisé dans les alimentations à découpage (SMPS), les ballasts électroniques, et autres circuits de commande de puissance. Ce composant combine une tension élevée (600 V) et un courant de drain de 4 A, offrant un bon compromis entre performance et coût.

Caractéristiques principales :

• Type : MOSFET N-Channel

• Tension drain-source (Vds) : 600 V

• Courant drain (Id) : 4 A

• Résistance à l'état passant (Rds(on)) : faible

• Boîtier : TO-220

• Temps de commutation rapide

• Faible charge de grille (Qg)

• Idéal pour les circuits à haute efficacité