30F132 – Transistor IGBT 600V / 30A pour applications de commutation de puissance

Le 30F132 est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) conçu pour les applications de puissance moyenne à élevée, combinant les avantages du MOSFET (commande en tension, grande vitesse de commutation) et du transistor bipolaire (faible perte en conduction). Il est idéal pour les convertisseurs, onduleurs, alimentations à découpage et contrôleurs de moteurs.

Caractéristiques principales :

• Tension maximale (V_CES) : 600 V

• Courant collecteur continu (I_C) : 30 A

• Technologie IGBT de génération avancée pour une faible perte de commutation

• Faible V_CE(sat) : réduction des pertes de conduction

• **Haute robustesse contre les surtensions et les décharges inductives

• Commande facile via signal logique (MOS gate)

Applications typiques :

• Variateurs de vitesse pour moteurs (VFD)

• Onduleurs pour panneaux solaires

• Alimentation à découpage (SMPS)

• Contrôle de chauffage à induction ou de lampes HID

• Robots et équipements industriels de puissance