Transistor IGBT 30F123 – 600V / 30A – Haute performance – TO-3P

Le 30F123 est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance, conçu pour des applications nécessitant une commutation rapide, une haute tension et un courant élevé. Il combine la facilité de commande d’un MOSFET avec la capacité de conduction élevée d’un transistor bipolaire.

Ce composant est idéal pour les onduleurs, variateurs de vitesse, alimentations à découpage et circuits de commande de moteur.

Caractéristiques principales :

• Type : IGBT

• Tension collecteur-émetteur (Vce) : 600 V

• Courant collecteur (Ic) : 30 A

• Boîtier : TO-3P isolé

• Faible tension de saturation (Vce(sat))

• Commutation rapide et efficace

Applications typiques :

• Onduleurs et convertisseurs de puissance

• Variateurs de fréquence (VFD)

• Commande moteur industriel

• Alimentation à découpage (SMPS)

• Equipements industriels haute puissance