11N60
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11N60 (aussi appelé FQP11N60, IRF11N60, STP11N60, etc.)
Le 11N60 est un MOSFET N-Channel de puissance haute tension, conçu pour des applications telles que les alimentations à découpage, les convertisseurs de puissance, les ballasts électroniques, ou encore les circuits de commande moteur.
Il peut supporter jusqu’à 600 volts en tension drain-source (Vds) et un courant de 11 ampères, ce qui le rend adapté aux applications industrielles ou domestiques nécessitant robustesse et performance.
Caractéristiques techniques principales du 11N60
| Caractéristique | Valeur typique |
|---|---|
| Type | MOSFET N-Channel |
| Tension drain-source (Vds) max | 600 V |
| Courant drain (Id) max | 11 A |
| Résistance à l’état passant (Rds(on)) | Environ 0.85 Ω à Vgs = 10 V |
| Tension grille-source (Vgs) max | ±30 V |
| Puissance dissipable (Pd) | Jusqu’à 125 W (avec bon refroidissement) |
| Boîtier | TO-220 |
| Application principale | Alimentation à découpage, convertisseur, ballast, onduleur, régulation de tension, moteur, etc. |
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